О способе увеличения плотности полевых транзисторов в составе усилителя мощности

Е. Л. Панкратов, Е. А. Булаева
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

 Статья поступила в редакцию 9 августа 2016 г.

Аннотация. В данной работе рассматривается способ увеличения плотности полевых транзисторов в составе усилителя мощности, а так же уменьшения их размеров. Предлагаемый способ базируется на формировании гетероструктуры специальной конфигурации. После формирования гетероструктуры необходимые участки данной гетероструктуры легируются с помощью диффузии или ионной имплантации с целью формирования в них необходимых типов проводимости (p или n). Далее рассматривается оптимизированный отжиг примеси и/ или радиационных дефектов с целью формирования более компактных пространственных распределений концентраций примесей с одновременным увеличением равномерности распределения концентрации примесей в обогащенных ими областях. В данной работе также предлагается аналитическая методика прогнозирования технологического процесса. Данная методика позволяет одновременно учитывать пространственные и временные изменения параметров физических процессов (коэффициент диффузии примеси, предел растворимость примеси и другие), а также нелинейность рассматриваемых процессов.

Ключевые слова: усилитель мощности, полевые гетеротранзисторы, увеличение плотности гетеротранзисторов.

Abstract. In this paper we consider an approach to increase density of field-effect transistors framework a power amplifier. Framework the approach it is also possible to decrease dimensions of these transistors. The approach based on manufacturing heterostructure with special configuration. After the manufacturing required areas of the heterostructure have been doped by diffusion or by ion implantation to produce required type of conductivity (p or n). Further we consider optimized annealing of dopant and/or radiation defects to manufacture more compact spatial distributions of dopants with at the same time with increasing of homogeneity of dopant concentrations in doped areas. In this paper we also introduce an analytical approach for prognosis of technological process. The approach gives a possibility to take into account dependences of physical parameters (dopant diffusion coefficient, limit of solubility of dopant and other) on coordinate and at the same time on time. The approach gives also a possibility to take into account nonlinearity of the considered processed at the same time with the above dependences.

Keywords: power amplifier; field-effect heterotransistors; increasing of density of heterotransistors.